[发明专利]一种GaAs基LED外延片的老化方法在审
| 申请号： | 202210347223.X | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116936690A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;郑波;黄寿东;智友臻;王彦丽 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种GaAs基LED外延片的老化方法，通过在GaAs基发光二极管外延片制作一个未完全分割开的正方形切割图形，再通过P面放在导电金属板、N面放在导电铜板上的方式，形成通电老化，将老化测试的过程选择在制备芯片的过程之前，从根本上解决了需制造GaAs基LED芯片造成的老化反馈周期长的问题，该老化方法操作简单，老化反馈周期可缩短80％以上，能有效的完成GaAs基LED外延片的老化，减少不必要的制造浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas led 外延 老化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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