[发明专利]一种光刻方法在审
| 申请号： | 202210336655.0 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114675504A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 董俊;张其学;陈骆;王雷 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种光刻方法，包括：根据散焦缺陷图形，确定晶圆表面的散焦缺陷位置是否固定；若散焦缺陷位置固定，则根据所述初始掩模版图和所述散焦缺陷图形，确定散焦缺陷位置对应的分割版图；调整所述散焦缺陷位置对应的所述分割版图的曝光参数；利用所有的分割版图对晶圆依次进行曝光。本申请通过固定散焦缺陷位置，再利用初始掩模版图和散焦缺陷图形确定所述散焦缺陷位置对应的所述分割版图，以此调整所述散焦缺陷位置对应的所述分割版图的曝光参数，从而在光刻工艺中就提前调整转印到晶圆上的掩膜版图形的位置，避免了在化学机械研磨晶圆表面时，晶圆表面产生负荷效应导致晶圆上的部分区域被过研磨或者不充分研磨的问题，提高了器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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