[发明专利]光学临近修正方法及装置有效
| 申请号： | 202210335630.9 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114488681B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 赵广;罗招龙;刘秀梅 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光学临近修正方法及装置，应用于半导体技术领域。由于本发明提供的光学临近修正方法可以在每次OPC修正后或某次OPC修正后，开始对主图形与其周围的辅助图形之间的距离进行调整，从而避免了现有技术中在对主图形进行辅助图形添加后，由于OPC修正导致的版图中主图形的部分形状改变，引起的经过OPC修正后的主图形和其周围的辅助图形之间的距离发生变化（变小），进而降低了版图的光刻工艺窗口、OPC修正过程中的准确度以及延缓研发进度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 临近 修正 方法 装置 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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