[发明专利]一种磁场辅助小分子物质结晶的方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202210333599.5 申请日: 2022-03-31
公开(公告)号: CN114736994A 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 张欣;张翔飞;谢灿 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C13K1/10 分类号: C13K1/10
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 缪璐欢
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种磁场辅助小分子物质结晶的方法及其应用,所述方法包括:将小分子物质溶解于水中,分装入结晶培养板的结晶孔中,置于放在晶体培养箱中的磁板上,静置培养结晶;磁板的磁场方向为N极向上;结晶孔底部所处的磁感应强度范围为0.0001761‑0.11715T,平均磁感应强度为0.0357191T;或结晶孔底部所处磁感应强度的范围为0.0002265‑0.22453T,平均磁感应强度为0.0584971T。本发明所述磁场辅助小分子物质结晶的方法能同时调控晶体结晶的热力学和动力学,促进晶核形成和晶体生长,提高生产的速度、效率和稳定性。
搜索关键词: 一种 磁场 辅助 分子 物质 结晶 方法 及其 应用
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