[发明专利]一种基于电子束熔化增材制造技术的单晶硅制备方法在审
| 申请号： | 202210328211.2 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114752998A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 李传军;任忠鸣;陈超越 | 申请（专利权）人： | 炬炼金属张家港有限公司 |
| 主分类号： | C30B19/10 | 分类号： | C30B19/10;C30B19/12;C30B29/06;B33Y10/00;B33Y80/00 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 张入文 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于电子束熔化增材制造的单晶硅制备方法，其主要特征在于，将打磨平整并抛光的硅单晶基板置于成型室内工作台上，使得腔内保持真空。利用单晶硅成型数据在单晶硅基底上对预合金粉末进行外延生长，得到尺寸大，外延生长率高的单晶硅。之后泄去真空，取出单晶硅棒，并对单晶硅棒进行切片。本方法制造的单晶硅片位错密度低，孪晶界少，并且杂质含量较低，内部无裂纹和气孔等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电子束 熔化 制造 技术 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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