[发明专利]一种功率半导体器件结构在审

专利信息
申请号: 202210322652.1 申请日: 2022-03-30
公开(公告)号: CN114664926A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 张波;钟涛;乔明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02;H01L27/06
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种功率半导体器件结构,器件为集成整流管与功率管的槽栅功率器件,在横向截面上形成元胞化排列结构。器件的版图结构采用多种方式排列,包括条形排列与正n边形排列,n≥3,采用条形排列时,排列结构为功率管元胞与整流管元胞循环排列构成;采用正n边形排列时,元胞为简单元胞或复合元胞,简单元胞的排列方式为多个功率管元胞将中心的一个整流管元胞包围,复合元胞的排列方式为多个复合元胞重复排列。简单元胞为功率管元胞或整流管元胞,复合元胞为包含整流管与功率管的元胞。本器件集成化、小型化,减小芯片面积,元胞排列方式灵活多变,有效减小器件漏电流,可应用在多种纵向槽栅器件中。
搜索关键词: 一种 功率 半导体器件 结构
【主权项】:
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