[发明专利]基于二硒化铼与二碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于二硒化铼与二碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法，其中光电探测器包括SiO2/Si基底、二硒化铼纳米片、二碲化钼纳米片和金属电极，二硒化铼纳米片和二碲化钼纳米片设于SiO2/Si基底的表面，二硒化铼纳米片的表面与二碲化钼纳米片的表面部分重叠，以构成二硒化铼与二碲化钼异质结，在异质结受光照时产生光电流，从而实现光探测，符合type‑Ⅱ型交错能带排列，能够实现层间跃迁激发，有效地解决单一的二硒化铼光电探测器光吸收范围受限的问题，从而提高光电探测器的光电性能，能够实现对可见光到短波红外区域的宽光谱光电探测，光响应范围更高。