[发明专利]一种低噪声放大器及芯片在审

专利信息
申请号: 202210309131.2 申请日: 2022-03-28
公开(公告)号: CN114844470A 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 郑怡珊;冯文杰;罗雄耀;朱浩慎;车文荃;薛泉 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/193
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 郑宏谋
地址: 510641 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种低噪声放大器及芯片,其中放大器包括:第一电容和第三电感的连接点与第一电感的一端连接;第一晶体管的源极通过第二电感接地,第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极连接;第一电感和第二电感构成第一变压器;第二晶体管的漏极通过第五电感连接到电源,第二晶体管的漏极与第三晶体管的栅极连接;第三晶体管的源极通过第七电感接地,第三晶体管的漏极通过第八电感与第四晶体管的源极连接;第五电感和第七电感构成第二变压器;第四晶体管的漏极通过第九电感连接到电源;第八电感和第九电感构成第三变压器。本发明基于变压器耦合结构来实现毫米波频段上宽带低噪声放大器,有效减小了电路的面积,可广泛应用于半导体技术领域。
搜索关键词: 一种 低噪声放大器 芯片
【主权项】:
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