[发明专利]一种基底诱导改善硫化铅薄膜取向结晶性方法和硫化铅薄膜及其应用在审
| 申请号： | 202210302597.X | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114774859A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 葛赐雨;唐江;李森;刘婧;陈超 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/14;C23C14/58;H01L31/032;H01L31/102 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 毛薇 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基底诱导改善硫化铅薄膜取向结晶性方法和硫化铅薄膜及其应用，所述方法包括：(1)通过热蒸发法将铅单质沉积在基片上，获得负载金属铅薄膜的基底；(2)将步骤(1)获得的负载金属铅薄膜的基底置于含有铅源的溶液A中，加入含有硫源的溶液B，混合、反应，获得所述硫化铅薄膜。所述制备方法是一种基底诱导改善薄膜取向结晶性的方法。所述基底诱导是指在已有基底上利用热蒸发法蒸镀一层金属铅。本申请包括利用热蒸发法在基底上蒸镀金属铅，利用得到的铅基底改善硫化铅薄膜取向结晶性，此方法成本低廉、流程可控、制备方法简单、工艺流程可重复性高。利用此方法得到的硫化铅薄膜具有平整、孔洞少、取向单一、结晶性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 诱导 改善 硫化铅 薄膜 取向 结晶 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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