[发明专利]基于太赫兹波的内部缺陷成像方法、电子设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202210302242.0 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN114689598A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 梅红伟;刘建军;王黎明;陈大兵;王磊 申请(专利权)人: 清华大学深圳国际研究生院;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N21/3581;G01N21/3563;G06K9/00;G06K9/62
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 郑海威;曾柳燕
地址: 518055 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种基于太赫兹波的内部缺陷成像方法、电子设备及计算机可读存储介质,所述方法包括:获取对待测产品的多个检测点进行太赫兹波扫描检测而反射回的多个太赫兹反射波;提取多个太赫兹反射波的波形特征参数;将多个太赫兹反射波的波形特征参数输入至缺陷识别模型,得到每个检测点的缺陷检测结果及缺陷决策值;基于每个检测点的缺陷检测结果生成缺陷成像图,及基于每个检测点的缺陷决策值生成缺陷位置决策图。本发明利用太赫兹波来实现对待测产品的内部缺陷成像,缺陷检测准确性高,且可确定内部缺陷的严重程度。
搜索关键词: 基于 赫兹 内部 缺陷 成像 方法 电子设备 存储 介质
【主权项】:
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