[发明专利]一种反应离子刻蚀掩膜有效
| 申请号： | 202210294399.3 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114758942B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 罗倩;高国涵;邵俊铭;吴湘;范斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 江亚平 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反应离子刻蚀掩膜。传统的反应离子刻蚀掩膜制作是在不需要刻蚀的区域涂上掩膜层，需要刻蚀的区域不做任何处理，这样，刻蚀之后就会有边缘效应，出现掩膜边界出现台阶的问题。在反应离子刻蚀修型的工艺中，检测的波像差是连续面型，而不是离散的，本发明刻蚀采用的掩膜最好是渐变的小孔分布，而不是非零即一的状态，这样刻蚀后的波前也不会出现台阶的情况。本发明公开的一种反应离子刻蚀掩膜，不同于传统的反应离子刻蚀掩膜，解决了传统的反应离子刻蚀掩膜分界线上出现台阶的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 离子 刻蚀 | ||
【主权项】：
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