[发明专利]一种基于PEDOT:PSS修饰的氮化钽光电极的制备方法在审

专利信息
申请号: 202210286079.3 申请日: 2022-03-22
公开(公告)号: CN114606528A 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 李严波;罗鑫 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C25B11/053 分类号: C25B11/053;C25B11/095;C25B1/04;C25B1/55
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于光电催化光电极制备技术领域,具体涉及一种基于PEDOT:PSS修饰的氮化钽光电极的制备方法。本发明利用双源电子束沉积法和高温氮化法直接在金属基底上制备Ta3N5薄膜,并通过两步旋涂法和真空退火法使用PEDOT:PSS表面修饰Ta3N5薄膜,得到PEDOT:PSS表面修饰后的Ta3N5薄膜光电极。本发明使用PEDOT:PSS表面修饰未改变Ta3N5薄膜的晶体结构,不会遮挡和阻碍Ta3N5光电极对可见光的吸收,从而提升Ta3N5的空穴传输能力,且光电极空穴提取能力明显提升,使得光电催化性能明显提升,长时间光电化学稳定性得到提高。同时可以缩小能带带隙,扩宽可见光吸收范围,有效地提升光电极光电催化能力和光电化学活性。
搜索关键词: 一种 基于 pedot pss 修饰 氮化 电极 制备 方法
【主权项】:
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