[发明专利]一种基于PEDOT:PSS修饰的氮化钽光电极的制备方法

权利要求书

1.一种基于PEDOT:PSS修饰的氮化钽光电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、清洗金属基底；

步骤2、采用双源电子束沉积法制备厚度为100-700nm的钽基氧化物前驱体薄膜；

步骤3、将步骤2中制备好的钽基氧化物前驱体薄膜装入石英舟中并密封于高温管式炉中，在NH₃气氛中以1-20K/min的速度升温至1074-1474K，在1074-1474K下保温6-40h，随后以1-20K/min的速度降温至室温，制备得Ta₃N₅薄膜；

步骤4、采用两步旋涂法使用PEDOT:PSS溶液对步骤3中制备的Ta₃N₅薄膜进行表面修饰，PEDOT:PSS溶液为≤3wt％的水溶液；

步骤5、在真空退火装置中374-474K温度下对步骤4中表面涂敷PEDOT:PSS的Ta₃N₅薄膜进行0.5-5h退火处理，得到PEDOT:PSS/Ta₃N₅薄膜；

步骤6、在步骤5所得PEDOT:PSS/Ta₃N₅薄膜的金属基底面焊接导电线，并使用凝固胶将焊接点与金属基底面封装覆盖，形成欧姆接触，即得PEDOT:PSS/Ta₃N₅光电极。

2.如权利要求1所述基于PEDOT:PSS修饰的氮化钽光电极的制备方法，其特征在于：

所述步骤4中两步旋涂法具体为：第一步自旋速度为500rpm，时间持续5s；第二步自旋速度为4000rpm，时间持续60s。

3.如权利要求1所述基于PEDOT:PSS修饰的氮化钽光电极的制备方法，其特征在于：所述步骤5真空退火的具体工艺为394K下真空环境中退火1h。

4.如权利要求1所述基于PEDOT:PSS修饰的氮化钽光电极的制备方法，其特征在于：所述步骤6使用的凝固胶为环氧树脂。

5.如权利要求1所述基于PEDOT:PSS修饰的氮化钽光电极的制备方法，其特征在于：所述步骤4中使用的PEDOT:PSS溶液经去离子水稀释后使用。

6.一种基于PEDOT:PSS修饰的氮化钽光电极，其特征在于：采用权1所述方法制备。