[发明专利]一类镁基半赫斯勒合金材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210284203.2 申请日: 2022-03-22
公开(公告)号: CN114686723B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 朱铁军;李艾燃;付晨光 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C22C12/00 分类号: C22C12/00;B22F1/142;B22F3/14;B22F9/04;C22C1/04;H01L35/20
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 何秋霞;胡红娟
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及新材料的合成与制备,公开一类镁基半赫斯勒合金材料及其制备方法。原料组成为Mg1‑xMxNiSb,其中,M=Ti或Zr或Hf,x表示原子百分比,0x1。本发明以镁和钛、镍、锑为原料在惰性气氛下反应,再经过球磨烧结制得镁基半赫斯勒合金;该合金材料仅通过调整镁与M元素的相对含量,即可同时获得N型和P型的材料,这对于该材料在热电领域的应用是有利的。该材料的热电性能能够通过调控材料组分进行调控,其中某一组分Mg0.4Ti0.6NiSb在未进行掺杂调节载流子浓度的情况下,在874K获得最高热电优值0.367。
搜索关键词: 一类 镁基半 赫斯 合金材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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