[发明专利]一类镁基半赫斯勒合金材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202210284203.2 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114686723B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 朱铁军;李艾燃;付晨光 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C22C12/00 | 分类号： | C22C12/00;B22F1/142;B22F3/14;B22F9/04;C22C1/04;H01L35/20 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 何秋霞;胡红娟 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一类 镁基半 赫斯 合金材料 及其 制备 方法 | ||
1.一类镁基半赫斯勒合金材料，其特征在于，原料组成为Mg1-xMxNiSb，其中，M＝Ti或Zr或Hf，x表示原子百分比，0.2≤x≤0.8；
所述的镁基半赫斯勒合金材料的制备方法包括步骤：
步骤1，按照原料组成Mg1-xMxNiSb的化学计量比称取金属原料粉末，混合后在置于惰性气氛下反应；
步骤2，将步骤1反应后的材料粉碎球磨后烧结，得到所述镁基半赫斯勒合金材料；
步骤1中，金属原料粉末置于惰性介质容器金属钽管中，惰性气体氛围下密封后，再将惰性金属钽管置于真空的石英管中进行反应。
2.根据权利要求1所述的镁基半赫斯勒合金材料，其特征在于，当0.2≤x≤0.5时，所述镁基半赫斯勒合金材料为P型，其载流子为空穴；
当0.5x≤0.8时，所述镁基半赫斯勒合金材料为N型，其载流子为电子。
3.根据权利要求1所述的镁基半赫斯勒合金材料，其特征在于，0.4≤x≤0.6。
4.根据权利要求1所述的镁基半赫斯勒合金材料，其特征在于，所述镁基半赫斯勒合金材料为P型时，0.4≤x≤0.5；所述镁基半赫斯勒合金材料为N型时，0.5x≤0.6。
5.根据权利要求1-4任一项所述的镁基半赫斯勒合金材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：
步骤1，按照原料组成Mg1-xMxNiSb的化学计量比称取金属原料粉末，混合后在置于惰性气氛下反应；
步骤2，将步骤1反应后的材料粉碎球磨后烧结，得到所述镁基半赫斯勒合金材料；
步骤1中，金属原料粉末置于惰性介质容器金属钽管中，惰性气体氛围下密封后，再将惰性金属钽管置于真空的石英管中进行反应。
6.根据权利要求5所述的镁基半赫斯勒合金材料的制备方法，其特征在于，所述反应温度为900-1100℃，反应时间为12-48h。
7.根据权利要求5所述的镁基半赫斯勒合金材料的制备方法，其特征在于，步骤2中烧结为放电等离子烧结，具体工艺为：在850-1000℃、50-70MPa下烧结6-10min。
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