[发明专利]绒面结构、包含其的单晶硅片、制绒方法及应用在审
申请号: | 202210281252.0 | 申请日: | 2022-03-22 |
公开(公告)号: | CN114823943A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 徐杨;姚伟明;张敏敏;强飞;虢小康;斯小阳;夏庆华 | 申请(专利权)人: | 湖州飞鹿新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 沈涛 |
地址: | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及单晶硅电池制造领域,尤其涉及一种绒面结构,所述绒面结构包含随机分布且呈八棱锥结构的单体制绒结构,其底面呈八边形,且位于底面以上部分呈八棱锥形。本发明克服了现有技术中普通四面体的金字塔结构的比表面积较小,导致其光程较短,反射率较高,陷光效果较差的缺陷。本发明中的绒面结构中包含有呈八棱锥结构的单体制绒结构,因此在底面面积一致的前提下,其八棱锥结构的表面积能够得到有效的提升,从而增加了光程,降低了对于光线的反射率,使得该绒面结构对于光线的陷光效果更好。 | ||
搜索关键词: | 结构 包含 单晶硅 方法 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的