[发明专利]OTP存储器阵列读写操作方法在审
| 申请号： | 202210280472.1 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114678054A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 毛军华 | 申请（专利权）人： | 成都凯路威电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | OTP存储器阵列读写操作方法，涉及集成电路技术，本发明的OTP存储器阵列由M×N个OTP存储器组成，所述OTP存储器包括存储MOS管、第一MOS管、第二MOS管和检测MOS管，检测MOS管的控制端与第二MOS管的第一电流连接端连接于参考点；对所述OTP存储器阵列进行写入操作的方法包括下述步骤：W1：在存储控制点加高电平；W2：针对选中的OTP存储器，开启各隔离MOS管和第二MOS管，使选中的OTP存储器的存储MOS管的栅电容形成击穿，实现数据写入。本发明大幅度提高了存储器阵列的读写速度，并且节省了现有技术所需要的电位转换电路，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | otp 存储器 阵列 读写 操作方法 | ||
【主权项】：
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