[发明专利]一种用于多层铜互连CMP的工艺控制方法在审
| 申请号： | 202210278471.3 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN115101471A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 李强;康劲;刘玉岭;贾会静;杨云点;刘启旭;罗翀 | 申请（专利权）人： | 康劲 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都鱼爪智云知识产权代理有限公司 51308 | 代理人： | 兰小平 |
| 地址： | 100083 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种用于多层铜互连CMP的工艺控制方法，涉及化学机械抛光技术领域。该方法主要通过调整抛光液流量后，在压力1.68psi‑5.00psi、抛头转速104rpm‑110rpm、抛盘转速110rpm‑116rpm以及研磨时间30s‑90s的条件下进行抛光，优化获得最适抛光液流量后，进行抛光，制得产品。以抛光液流量控制多层铜互连阻挡层CMP中铜、介质的去除速率，进而达到控制制作工艺的精度，可有效简化制作流程的繁琐程度，并且，该方法适合多数集成电路多层金属CMP制作工艺，适用性较强，由此可见，该方法的使用价值和实用价值较高，适合产品的规模化生产制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多层 互连 cmp 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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