[发明专利]一种SiO2在审

专利信息
申请号: 202210276433.4 申请日: 2022-03-21
公开(公告)号: CN114644341A 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 董顺;王轶源;张幸红;韩杰才;杜善义 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18;C01B32/05;B82Y40/00
代理公司: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种SiO2@C纳米复合粉体的制备方法,本发明涉及碳包覆纳米材料合成技术领域,具体涉及一种SiO2@C纳米复合粉体的制备方法。本发明要解决现有制备SiO2@C纳米复合粉体时制备工艺复杂、成本高、污染环境、产物分散性差、碳壳层厚度难以调控的问题。制备步骤:一、配制反应溶液;二、制备SiO2@糖碳壳层纳米复合粉体;三、制备SiO2@C纳米复合粉体。本发明具有制备工艺简单、成本低、绿色环保、产物分散性好等优点,并且纳米复合粉体表面碳壳层的厚度可以根据使用需求进行调控。本发明可用于大规模生产SiO2@C纳米复合粉体。
搜索关键词: 一种 sio base sub
【主权项】:
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