[发明专利]岛形薄膜结构的形成方法和MEMS器件在审

专利信息
申请号: 202210273151.9 申请日: 2022-03-18
公开(公告)号: CN114835081A 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 王续博;马有草;赵玉垚;刘悦 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/02
代理公司: 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 代理人: 董琳
地址: 200030 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开一种岛形薄膜结构的形成方法和MEMS器件,所述形成方法包括:提供基底;提供掩模板,所述掩模板上具有通孔;将所述掩模板贴合固定于所述基底表面,所述通孔暴露出基底的部分表面;在所述通孔内以及所述掩模板表面沉积薄膜层;将所述掩模板与所述基底表面分离,在所述基底表面保留位于所述通孔内的岛形薄膜结构。上述岛形薄膜结构的形成方法具有工艺步骤简单、成本低、工艺稳定性高的优点。
搜索关键词: 薄膜 结构 形成 方法 mems 器件
【主权项】:
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