[发明专利]一种人脑受电磁辐射的高精度计算方法有效

专利信息
申请号: 202210272635.1 申请日: 2022-03-18
公开(公告)号: CN114818412B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 陈广志;王新松;李尧尧;杜万里;苏东林 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23;G06F17/12
代理公司: 成都巾帼知识产权代理有限公司 51260 代理人: 邢伟
地址: 100000*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种人脑受电磁辐射的高精度计算方法,包括以下步骤:S1.对于人脑模型进行定义:主要考虑人脑模型的尺寸,模拟脑模型内部的生物组织结构,并根据脑模型所处的电磁环境特点,赋予生物组织对应的电磁参数值;S2.人脑模型定义完成之后,使用FCC网格对于目标模型进行网格剖分:剖分过程中首先依据模型特点设置网格大小,然后确定每一个电磁场节点的位置;S3.使用FCC网格对于模型进行剖分后,对于场值迭代过程中参数进行初始化;S4.对吸收层内的参数初始化;S5.设置完吸收层的参数之后,设定时间步长进行电磁场值的迭代计算。本发明对人脑暴露在电磁环境中可能存在的风险进行评估分析,并确保了人脑电磁辐射能量吸收的计算精度。
搜索关键词: 一种 人脑 电磁辐射 高精度 计算方法
【主权项】:
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