[发明专利]一种人脑受电磁辐射的高精度计算方法有效
申请号: | 202210272635.1 | 申请日: | 2022-03-18 |
公开(公告)号: | CN114818412B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 陈广志;王新松;李尧尧;杜万里;苏东林 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G06F30/23 | 分类号: | G06F30/23;G06F17/12 |
代理公司: | 成都巾帼知识产权代理有限公司 51260 | 代理人: | 邢伟 |
地址: | 100000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明公开了一种人脑受电磁辐射的高精度计算方法,包括以下步骤:S1.对于人脑模型进行定义:主要考虑人脑模型的尺寸,模拟脑模型内部的生物组织结构,并根据脑模型所处的电磁环境特点,赋予生物组织对应的电磁参数值;S2.人脑模型定义完成之后,使用FCC网格对于目标模型进行网格剖分:剖分过程中首先依据模型特点设置网格大小,然后确定每一个电磁场节点的位置;S3.使用FCC网格对于模型进行剖分后,对于场值迭代过程中参数进行初始化;S4.对吸收层内的参数初始化;S5.设置完吸收层的参数之后,设定时间步长 |
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搜索关键词: | 一种 人脑 电磁辐射 高精度 计算方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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