[发明专利]一种Bypass开关偏置电压产生电路有效
| 申请号： | 202210259807.1 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114721455B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 项勇;戈泽宇;陈浪;陈力生 | 申请（专利权）人： | 苏州悉芯射频微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙) 21241 | 代理人： | 屈芳 |
| 地址： | 215301 江苏省苏州市昆山市昆山开发*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种Bypass开关偏置电压产生电路。其中第一增强型FET晶体管的栅极与控制电压和第二增强型FET晶体管栅极相连，第一增强型FET晶体管的源极接地，漏极与第二电阻相连。第二增强型FET晶体管的栅极与控制电压和第一增强型FET晶体管的栅极相连，漏极与自身栅极相连，源极与第三电阻相连。第一电阻上端与电源电压VDD相连，下端与偏置电压相连。第二电阻上端与第三电阻和偏置电压相连，下端与第一增强型FET晶体管的漏极相连。第三电阻的下端与第二电阻相连，上端与第二增强型FET晶体管的源极相连。控制电压Vctrl控制第一增强型FET晶体管的通断，第二增强型FET晶体管和第三电阻组成单向电压跟随器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bypass 开关 偏置 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州悉芯射频微电子有限公司，未经苏州悉芯射频微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210259807.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
