[发明专利]页缓冲器、编程方法、存储器装置及系统在审

专利信息
申请号: 202210248481.2 申请日: 2022-03-14
公开(公告)号: CN114783488A 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 杜智超;王砚;宋大植;王瑜 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C7/12
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 高洁;张颖玲
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本公开实施例公开了一种页缓冲器、编程方法、存储器装置及系统,所述页缓冲器对应于存储器装置的存储单元阵列的位线而设置,所述页缓冲器包括:第一充放电模块,其耦接于位线,并配置为能够存储第一位线强制信息以及根据所述第一位线强制信息向所述位线提供第一位线强制电压;第二充放电模块,其耦接所述位线,并配置为能够存储第二位线强制信息以及根据所述第二位线强制信息向所述位线提供不同于所述第一位线强制电压的第二位线强制电压;其中,所述第一位线强制电压和第二位线强制电压均大于正常编程位线电压且小于禁止编程位线电压。
搜索关键词: 缓冲器 编程 方法 存储器 装置 系统
【主权项】:
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