[发明专利]一种半互穿阴离子交换膜及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202210240534.6 申请日: 2022-03-10
公开(公告)号: CN114695933A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 韩娟娟;刘驰峰;邓萃雯;任占冬;方华 申请(专利权)人: 武汉轻工大学
主分类号: H01M8/1081 分类号: H01M8/1081;H01M8/1027
代理公司: 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 代理人: 李兮
地址: 430023 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种半互穿阴离子交换膜及其制备方法和应用,包括在第一有机溶剂和催化剂存在下,将苯乙烯‑乙烯‑丁烯嵌段共聚物和1,4‑二氯甲氧基丁烷反应;在第二有机溶剂和引发剂的存在下,将聚苯醚和N‑溴代琥珀酰亚胺反应;在第三有机溶剂存在下,将氯甲基化苯乙烯‑乙烯‑丁烯嵌段共聚物与交联剂反应,得A溶液;将溴化聚苯醚溶解于第三有机溶剂,得B溶液;将A溶液和B溶液混合搅拌,倒入模具,烘干得薄膜;将薄膜浸泡于三甲胺水溶液,得卤素型半互穿阴离子交换膜;将卤素型半互穿阴离子交换膜与碱溶液离子交换,得半互穿阴离子交换膜。本发明薄膜具备抗拉伸强度高、柔韧性好、成膜均匀、离子电导率高、化学稳定性优异的特点。
搜索关键词: 一种 半互穿 阴离子 交换 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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