[发明专利]一种半互穿阴离子交换膜及其制备方法和应用在审
申请号: | 202210240534.6 | 申请日: | 2022-03-10 |
公开(公告)号: | CN114695933A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 韩娟娟;刘驰峰;邓萃雯;任占冬;方华 | 申请(专利权)人: | 武汉轻工大学 |
主分类号: | H01M8/1081 | 分类号: | H01M8/1081;H01M8/1027 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 李兮 |
地址: | 430023 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种半互穿阴离子交换膜及其制备方法和应用,包括在第一有机溶剂和催化剂存在下,将苯乙烯‑乙烯‑丁烯嵌段共聚物和1,4‑二氯甲氧基丁烷反应;在第二有机溶剂和引发剂的存在下,将聚苯醚和N‑溴代琥珀酰亚胺反应;在第三有机溶剂存在下,将氯甲基化苯乙烯‑乙烯‑丁烯嵌段共聚物与交联剂反应,得A溶液;将溴化聚苯醚溶解于第三有机溶剂,得B溶液;将A溶液和B溶液混合搅拌,倒入模具,烘干得薄膜;将薄膜浸泡于三甲胺水溶液,得卤素型半互穿阴离子交换膜;将卤素型半互穿阴离子交换膜与碱溶液离子交换,得半互穿阴离子交换膜。本发明薄膜具备抗拉伸强度高、柔韧性好、成膜均匀、离子电导率高、化学稳定性优异的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 半互穿 阴离子 交换 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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