[发明专利]一种高速低功耗高压驱动电路在审

专利信息
申请号: 202210236072.0 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN114629492A 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 谭在超;张胜;罗寅;丁国华 申请(专利权)人: 苏州锴威特半导体股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 毕东峰
地址: 215600 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种高速低功耗高压驱动电路,包括N型DMOS管N1、P型DMOS管P1、稳压管D1、反相器驱动电路(X1,X2,X3)、低压NMOS管(N2,N3,N5,N7,N8)、高压NMOS管(N4,N6)、低压PMOS管(P2,P3,P4,P5),电阻(R1,R2,R3)及电容(C1,C2),低压PMOS管P4的源端连接高压NMOS管N4的源端,低压PMOS管P4的漏端连接低压NMOS管N7的漏端,低压PMOS管P5的源端连接高压NMOS管N6的源端,低压PMOS管P5的漏端连接低压NMOS管N8的漏端,本发明电路结构简单,与常用的高压驱动电路相比只增加了非常少的器件,应用成本低。
搜索关键词: 一种 高速 功耗 高压 驱动 电路
【主权项】:
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