[发明专利]一种高速低功耗高压驱动电路

权利要求书

1.一种高速低功耗高压驱动电路，其特征在于，所述电路包括N型DMOS管N1、P型DMOS管P1、稳压管D1、反相器驱动电路（X1，X2，X3）、低压NMOS管（N2，N3，N5，N7，N8）、高压NMOS管（N4，N6）、低压PMOS管（P2，P3，P4，P5），电阻（R1，R2，R3）及电容（C1，C2），稳压管D1和电阻R1连接于P型DMOS管P1的栅端；

所述低压PMOS管P4的栅端连接所述电阻R2，所述低压PMOS管P4的源端连接所述高压NMOS管N4的源端，所述低压PMOS管P4的漏端连接所述低压NMOS管N7的漏端；

所述低压PMOS管P5的栅端连接所述电阻R3，所述低压PMOS管P5的源端连接所述高压NMOS管N6的源端，所述低压PMOS管P5的漏端连接所述低压NMOS管N8的漏端。

2.根据权利要求1所述的一种高速低功耗高压驱动电路，其特征在于，所述高压NMOS管N4的栅端接INB信号，所述电阻R2连接所述高压NMOS管N4的栅端，所述高压NMOS管N4的源端接低压NMOS管N3，所述高压NMOS管N6的栅端接INE信号，所述电阻R3连接所述高压NMOS管N6的栅端，所述高压NMOS管N6的源端接低压NMOS管N5。

3.根据权利要求1所述的一种高速低功耗高压驱动电路，其特征在于，所述高压NMOS管N4的漏端连接低压PMOS管P2，所述高压NMOS管N6的漏端连接低压PMOS管P3，所述低压PMOS管P2与低压PMOS管P3栅端相连。

4.根据权利要求2所述的一种高速低功耗高压驱动电路，其特征在于，当信号INE为高电平，INE的高电平信号经由电阻R3给电容C2充电，电阻R3和电容C2的值满足：R3*C2=5n。

5.根据权利要求2所述的一种高速低功耗高压驱动电路，其特征在于，当信号INB为高电平时，INB的高电平信号经由电阻R2给电容C1充电，电阻R2和电容C1的值满足R2*C1=5n。

6.根据权利要求1所述的一种高速低功耗高压驱动电路，其特征在于，当所述P型DMOS管P1的寄生栅电容为10pF时，Pgate的电压翻转时间小于1nS。

7.根据权利要求1所述的一种高速低功耗高压驱动电路，其特征在于，所述低压NMOS管N3、低压NMOS管N7、低压NMOS管N5、低压NMOS管N8及低压NMOS管N2的栅端相连。

8.根据权利要求1所述的一种高速低功耗高压驱动电路，其特征在于，反相器电路连接IN信号，所述反相器X1、反相器X2及反相器X3依次连接并连接于N型DMOS管N1的栅端，所述N型DMOS管N1与P型DMOS管P1相连。