[发明专利]一种初始周期高低阻态稳定的阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210224538.5 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN114784184A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 高海霞;钱梦依;段毅伟;孙宇昕;武书良 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种初始周期高低阻态稳定的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器从下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变介质层、量子点层、顶电极层和保护层。本发明通过在阻变介质层和顶电极层之间旋涂量子点层，能够提高顶电极层对阻变介质层中氧离子的捕获能力，并引导导电细丝的形成与断裂，从而提高阻变存储器的稳定性，降低器件的功耗，进一步消除器件的初始化过程，使阻变存储器初始周期中的高低阻态保持稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 初始 周期 高低 稳定 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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