[发明专利]一种采用多靶共沉积磁控溅射高通量技术制备梯度Nb-Si基合金薄膜的方法有效
| 申请号： | 202210221598.1 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN114657524B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 姜威 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;C22C27/02;C22B9/22;C22B34/34 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于梯度合金薄膜制备技术领域的一种采用多靶共沉积磁控溅射高通量技术制备梯度Nb‑Si基合金薄膜的方法。所述方法在高纯Mo基体上，采用高纯Cr靶材、Si靶材和xNb‑yB‑zTi‑kAl合金靶材三靶材共沉积磁控溅射高通量技术，制备成分梯度Nb‑Si基合金薄膜。本方法便于大批量的对不同元素比例的Nb‑Si基合金进行性能测试，快速的选取出最优的元素成分比例，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 多靶共 沉积 磁控溅射 通量 技术 制备 梯度 nb si 合金 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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