[发明专利]一种用于SiCMOSFET的高集成化半桥驱动模块在审
| 申请号： | 202210199613.7 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114552956A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王来利;温浚铎;靳浩源;董晓博;李华清 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于SiC MOSFET的高集成化半桥驱动模块，能够减小驱动电路体积，保证驱动电路的高隔离性与高可靠性，结构简单，可应用性强。包括驱动板，所述驱动板分为控制电路侧和主电路侧，控制电路侧和主电路侧之间开设有分隔槽；其中，所述控制电路侧远离主电路侧的一端设有低压信号输入接口，所述分隔槽处置有驱动供电模块和驱动芯片，所述驱动供电模块包括上管驱动供电模块和下管驱动供电模块，所述主电路侧上设置有驱动电阻和驱动二极管，主电路侧远离控制电路侧的一端设有上管GS连接端和下管GS连接端。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 sicmosfet 集成化 驱动 模块 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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