[发明专利]低温氧化/氮化处理提高钕铁硼抗蚀性的方法在审
| 申请号： | 202210199160.8 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114566370A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 严密;金佳莹;陈望;吴琛 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京中睿智恒知识产权代理事务所(普通合伙) 16025 | 代理人： | 邓大为 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低温氧化/氮化处理提高钕铁硼抗蚀性的方法，通过200～400℃的低温氧化/氮化处理，在钕铁硼磁体表面原位生长氧化物、氮化物或氮氧化物薄层，大幅提高磁体的抗蚀性。本方法操作简单，生产成本低，不同于传统电镀和化学镀等方法，是一种绿色、安全、高效的技术方法。根据工艺调整，磁体表面生成的氧化物、氮化物或氮氧化物薄层厚度在10nm～100μm间连续可调，提高磁体抗蚀性的同时可保持优异的磁性能。并且，本方法磁体表面薄层为原位生成，与基体结合力强，长时稳定，可大批量推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 氧化 氮化 处理 提高 钕铁硼抗蚀性 方法 | ||
【主权项】：
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