[发明专利]一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202210183520.5 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114587366A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 康晓洋;王爱萍;张静;刘鲁生;王君孔帅 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | A61B5/262 | 分类号： | A61B5/262;A61B5/293 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法，本发明的硅神经电极具有特定的探针间连接弧度，特定的厚度，宽度以及长度；其通过结合无接触低应力的探针制备方法制备得到。本发明的超高深宽比的硅神经探针能更好的植入体内采集数据，并实现超高深宽比，超高密度、超大范围的跨尺度神经信号采集。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 神经 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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