[发明专利]一种金属-高熵合金多层膜中空微点阵材料制备方法在审
| 申请号： | 202210180636.3 | 申请日： | 2022-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN114525487A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王永静;封晨鑫;宋忠孝;张志家;陈亚奇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C22C30/00;C22C38/30;C22C38/38;C22C38/52;C22C38/58;C23C14/04;C23C14/20 |
| 代理公司： | 北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙) 11947 | 代理人： | 胡欢 |
| 地址： | 710049 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于复合点阵材料设计制备技术领域，且公开了一种金属‑高熵合金多层膜中空微点阵材料制备方法，具体操作步骤如下：步骤1：在CAD软件建立微点阵材料模型，将CAD文件转成STL格式文件，并将其导入3D的打印设备，利用快速成型技术加工聚合物掩模。本发明所制备的结构可设计性强；得到金属/高熵合金多层膜中空微点阵材料的成本低廉，方法简便、易行，可通过控制溅射时间控制膜层厚度，可实现了管壁厚度在50nm～20μm之间的调控；本发明所制备的微点阵材料具有突出强度和韧性，缓解了传统材料强度和韧性突出的矛盾问题；本发明使用的磁控溅射技术，相对于其他沉积方法，材料选着范围广(金属、高熵合金)，膜层均匀性和结合性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 合金 多层 中空 点阵 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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