[发明专利]磁铁组态系统与在磁阻式随机存取记忆体晶片中侦测磁穿隧接面矫顽磁力弱位元的方法在审
| 申请号： | 202210179905.4 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114724614A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 简政尉;庄学理;沈桂弘;黄国峰;林柏宏;陈俊吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磁铁组态系统与在磁阻式随机存取记忆体晶片中侦测磁穿隧接面矫顽磁力弱位元的方法，揭露的方法包括将含有磁阻式随机存取记忆体(magnetoresistive random‑access memory；MRAM)元件的半导体晶圆放置在第一磁场中，此第一磁场具有足以磁极化MRAM位元的强度且在晶圆的整个区域上具有实质均匀的场强度与方向。此方法还包括将晶圆放置在第二磁场中，此第二磁场有相反的场方向、在晶圆的整体区域上有实质均匀的场强度与方向与小于磁性反转MRAM位元的设计门槛。此方法还包括通过找出因暴露于第二磁场而被磁极反转的失效MRAM位元，判定失效MRAM位元存在。通过电性读取数据位元，或者由晶片探针读取MRAM元件的电压、电流、电阻等的一或多者还可以区分失效的MRAM位元。 | ||
| 搜索关键词： | 磁铁 组态 系统 磁阻 随机存取 记忆体 晶片 侦测 磁穿隧接面矫顽 磁力 位元 方法 | ||
【主权项】：
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