[发明专利]基于分子束外延原位激光干涉光刻方法有效
| 申请号： | 202210177492.6 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114654097B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 石震武;杨新宁;彭长四;缪力力;庄思怡;耿彪;祁秋月 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 夏苏娟 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延原位激光干涉光刻方法，包括以下步骤，S1：加热基片，所述基片为Ga基或Al基材料，所述加热的温度高于基片材料对应的In基材料的热脱附温度；S2：通入In原子流以充当表面催化剂，引入激光干涉对所述基片进行曝光，完成光刻加工。本发明利用传统的激光干涉在分子束外延系上原位实现对材料进行结构化光刻，相比现有其他非原位的材料微纳加工手段，具有无污染，无氧化，低材料损伤，工艺极其简单高效；另外，能实现材料在Z方向上的刻蚀精度达到原子层级水平。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 分子 外延 原位 激光 干涉 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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