[发明专利]一种快速在非金属基底上制备石墨烯薄膜方法有效
| 申请号： | 202210175355.9 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114506843B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李雪松;青芳竹;周聪俐 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 苟铭 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速在非金属基底上制备石墨烯薄膜方法，该方法包括：步骤(1)：将非金属基底覆盖于表面均涂布有碳源有机试剂的导电材料的两面，形成非金属基底/碳源有机试剂/导电材料/碳源有机试剂/非金属基底夹层；步骤(2)：将步骤(1)所得的夹层置于电极放电室中，于真空状态下对夹层进行放电处理，即可。本发明利用在石墨烯纸中瞬时通过大电流以产生高温(2000摄氏度)，可以在短时间内在非金属基底上生长石墨烯薄膜，有效解决了现有石墨烯薄膜制备过程中存在的时间长和成本高等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 非金属 基底 制备 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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