[发明专利]一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件在审
| 申请号： | 202210169338.4 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114420759A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;鞠建宏 | 申请（专利权）人： | 江苏帝奥微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件，应用于半导体集成电路技术领域，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底内由下至上设有P型重掺杂埋层和N型重掺杂埋层，外延层位于P型半导体衬底的顶部；N型重掺杂埋层的引出深N阱位于所述外延层内；引出深N阱的表面设有引出漏极N+接触区；在引出深N阱和功率开关管漏极之间设有隔离浅槽；功率开关管漏极、功率开关管栅极、功率开关管源极和功率开关管背栅极均位于外延层。本发明仅通过增加一个工艺层次，形成了内置于芯片自身功率开关管下方的体内浪涌保护二极管，实现高效率、低成本的解决ESD和浪涌等过压电应力的集成化保护的创新方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 保护 二极管 nldmos 器件 | ||
【主权项】：
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