[发明专利]一种GaN基的激光二极管结构及制造方法在审
| 申请号： | 202210167551.1 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114552371A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王程刚 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/042;H01S5/32;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基的激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、电子阻挡层和钝化层；P型电子阻挡层上表面设有脊条，脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触电极层；钝化层包括层叠设置的第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面，位于脊条的两侧，第二钝化层上开设有凹槽，在第二钝化层上表面和脊条上设有第一金属层，第一金属层具有与凹槽相对应的凸起部，在第一金属层上表面还设有P电极。其降低了电极结构的应力，提高了金属电极与钝化层的附着力，可以形成厚的金属电极，降低封装要求，提高散热性能，扩大应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 激光二极管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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