[发明专利]一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统及控制方法有效
| 申请号： | 202210165178.6 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114438601B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 马成;王忠保;芮阳 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06;C30B33/00 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统及控制方法，提高缺陷系统包括隔离箱体，隔离箱体顶部的中间对称设置有自动润滑机构，外壳的一侧固定连接有第二电机，蜗杆的表面和第二电机的输出端均固定套接有锥齿轮，套筒的内腔固定套接有套环，套环的底部转动套接有蜗轮，第二丝杆的顶部转动套接有第三连接板，第三连接板的一端固定连接有伸缩板，伸缩板的表面固定连接有快中子辐照照射器，本发明涉及晶体技术领域。该提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统及控制方法，解决了需要人工将单晶放入到加热炉和下料，以及正常的热加工产生氧沉淀的二次缺陷无法缩短单晶氧沉淀二次缺陷生长时间的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 外延 衬底 单晶氧 沉淀 析出 缺陷 系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
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