[发明专利]一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法有效
| 申请号： | 202210148912.8 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114350264B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 潘国峰;王昊;夏荣阳;何平;孙鸣;杨学莉;王辰伟 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明为一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液同时采用(OHA)与唑类作为抑制剂，通过OHA与唑类抑制剂的协同作用，在使用少量唑类抑制剂的情况下，达到更好的抛光后晶圆表面质量。本发明方法简单，适合规模化工业生产的需要；抛光后，钴表面粗糙度可达为0.60nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 互连 结构 cmp 碱性 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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