[发明专利]一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法有效
| 申请号： | 202210148912.8 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114350264B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 潘国峰;王昊;夏荣阳;何平;孙鸣;杨学莉;王辰伟 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 互连 结构 cmp 碱性 抛光 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液，其特征为该抛光液的组成和配比包括：
所述抑制剂为2,2’-[[((甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇(TT-LYK)和辛基异羟肟酸(OHA)的混合物；
其中，质量比，2,2’-[[((甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇(TT-LYK)：辛基异羟肟酸(OHA)＝0.1-0.8:1；
所述络合剂为氨基三甲叉膦酸(ATMP)；
所述碱性抛光液的pH值为8.0-10.0；
所述非离子表面活性剂为辛基酚聚氧乙烯醚(OP)或烷基酚聚氧乙烯醚(APEO)；
所述的氧化剂是过氧化氢(H2O2)。
2.如权利要求1所述的用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液，其特征为所述硅溶胶的平均粒径为60-70nm,分散度在±5％之间。
3.如权利要求1所述的用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液的制备方法，其特征为包括如下步骤：
将络合剂、抑制剂、非离子表面活性剂、氧化剂和硅溶胶按所述配比加入去离子水中，搅拌后得到抛光液。
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