[发明专利]基片支承器、等离子体处理系统和等离子体蚀刻方法在审
| 申请号： | 202210108834.9 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114914144A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 早坂直人;高桥智之;河田祐纪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基片支承器、等离子体处理系统和等离子体蚀刻方法。本发明要解决的技术问题是在等离子体处理中恰当地控制相对于基片的等离子体分布。在等离子体处理装置中使用的基片支承器包括：基台；配置在基台上的陶瓷板，其具有基片支承区域和将基片支承区域包围的环部件支承区域；配置在基台和陶瓷板的周围的绝缘环状部件；固定边缘环，其具有内侧部分和外侧部分，内侧部分被支承在环部件支承区域上，外侧部分被支承在绝缘环状部件上，外侧部分具有第一宽度；可动边缘环，其配置在固定边缘环的外侧部分的上方，且具有比第一宽度小的第二宽度；和致动器，其能够使可动边缘环相对于固定边缘环在上下方向上移动。 | ||
| 搜索关键词： | 支承 等离子体 处理 系统 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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