[发明专利]一种具有高荧光量子产率的胶态硅纳米晶及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210107253.3 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114717000A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 郝惠莲;赵悦 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59;H01L51/54;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙) 31293 | 代理人： | 吴瑾瑜 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及功能纳米材料的制备技术及在光电器件上的应用领域，具体涉及一种具有高荧光量子产率胶态硅纳米晶(c‑Si NCs)的制备及在OLED上的应用。该方法主要使用块体单晶硅片、有机溶剂和氢氟酸(HF)溶液相混合，通过飞秒激光液相烧蚀一步生成具有高荧光量子效率、良好表面功能化和驱散均匀的c‑SiNCs，所使用的耗材成本低廉，所使用试剂无毒、无强腐蚀性，制备的c‑Si NCs具有无毒、高荧光量子效率(高达78.5％)、尺寸分布和发光波长易于调控等特点。将上述制备的c‑Si NCs溶液采用一步旋涂法制得c‑Si NCs薄膜并应用于OLED中，外部量子效率可以高达7.2％。该工艺不需要复杂的化学修饰，简单易行，具有良好的可重复性，且在放大实验中具有良好的稳定性，工业化应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 荧光 量子 胶态硅 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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