[发明专利]存储电容器的制造方法在审
| 申请号： | 202210103068.7 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114446782A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 黄子伦 | 申请（专利权）人： | 苏州聚谦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/8242;H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区星*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储电容器的制造方法，包括：提供半导体衬底；形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层形成第一沟槽；形成位于第一沟槽的底部和侧壁，以及第一掩膜层上方的第二掩膜层，使得形成第二沟槽；去除第一掩膜层上方的第二掩膜层、第一掩膜层、以及位于第二沟槽的底部的第二掩膜层；依次形成第三掩膜层、第四掩膜层和第五掩膜层；对第四掩膜层和第五掩膜层研磨减薄至暴露出第二掩膜层；去除第二掩膜层和第四掩膜层，形成第三沟槽；以第三掩膜层、第四掩膜层、第五掩膜层作为阻挡层，刻蚀半导体衬底，于半导体衬底内形成第四沟槽；去除第三掩膜层、第四掩膜层和第五掩膜层；形成介质层和导电层，该方法能够降低工艺复杂度和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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