[发明专利]一种K掺杂硒化亚铜纳米片阵列结构材料、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202210100667.3 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114408877B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 吴正翠;丁连春;高峰 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 任晨晨 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种K掺杂硒化亚铜纳米片阵列结构材料、制备方法及其应用。制备方法为：将泡沫铜倾斜置于含硒源、碱源、还原剂和碱金属盐的混合溶液中，于反应釜中进行水热反应，制备得到。本发明将K |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 硒化亚铜 纳米 阵列 结构 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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