[发明专利]一种六角相三氧化二铈单晶薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202210097923.8 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN114457407A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 冯卫;郝群庆;陈秋云;刘琴;谭世勇 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/16;C30B29/64;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 朱玲艳 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种六角相三氧化二铈单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供反应腔室，所述反应腔室中包括样品台；将铈块装入蒸发源；将所述反应腔室抽真空；加热所述蒸发源；提供钨单晶衬底，对所述钨单晶衬底进行处理以获得原子级平整的表面；将处理后的所述钨单晶衬底放置在所述样品台上；继续加热所述蒸发源，从而得到铈薄膜；向所述反应腔室中充入氧气，使得所述铈薄膜氧化为六角相三氧化二铈；以及对所述六角相三氧化二铈进行退火，从而得到所述六角相三氧化二铈单晶薄膜。该方法制备的六角相三氧化二铈单晶薄膜的纯度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 六角 氧化 二铈单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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