[发明专利]保护功函数金属层的方法在审
| 申请号： | 202210097271.8 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114481068A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 王诗昊;王莎莎;席晓阳 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种保护功函数金属层的方法，提供衬底和物理气相沉积机台，衬底上形成有功函数金属层；将物理气相沉积机台的偏压电源设置为零，之后利用物理气相沉积机台在功函数金属层上淀积第一保护层；提供偏置电压，偏置电压用于增加物理气相沉积机台形成的溅射原子的能量；偏压电源采用偏置电压，之后利用物理气相沉积机台在第一保护层上形成第二保护层。本发明通过不采用偏置电压在功函数金属层上形成第一保护层，之后采用偏置电压在功函数金属层上形成第二保护层，从而使得功函数金属层得到充分保护，提升了器件阈值电压的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 函数 金属 方法 | ||
【主权项】：
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