[发明专利]一种多晶金修饰电极、制备方法及在检测As(III)中的应用在审
| 申请号： | 202210096989.5 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114460158A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 肖红波;王文磊;陈俊蓉;叶梦华;徐涛 | 申请（专利权）人： | 中南林业科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/48 | 分类号： | G01N27/48;G01N27/30 |
| 代理公司： | 长沙德权知识产权代理事务所(普通合伙) 43229 | 代理人： | 丁茂林 |
| 地址： | 410000 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种多晶金修饰电极，包括碳电极、碳电极表面的吡啶类配体修饰膜以及被吡啶类配体修饰膜吸附的纳米金，吡啶类配体修饰膜诱导金染液扩繁所述纳米金而形成Au(111)晶面占主导的多晶金；所述吡啶类配体修饰膜由吡啶类有机物前驱体与所述碳电极共价键合而成；所述吡啶类配体修饰膜厚度在单分子层级别，性质稳定。所述吡啶类配体修饰膜通过碳电极上电还原1,8‑萘啶、4‑氰基吡啶、吡啶‑2‑磺酸和吡啶‑2‑甲酸中的一种制备，得到Py |
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| 搜索关键词： | 一种 多晶 修饰 电极 制备 方法 检测 as iii 中的 应用 | ||
【主权项】：
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