[发明专利]基于β-Ga2在审

专利信息
申请号: 202210089552.9 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114597317A 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 李林;公维强;闫珺 申请(专利权)人: 哈尔滨师范大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/44;H01L51/42
代理公司: 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 代理人: 胡林
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种基于β‑Ga2O3/Au/MAPbBr3三明治结构的紫外‑可见光探测器及制备方法,其中,制备方法包括如下步骤:S1、清洗衬底;S2、在清洗好的衬底上生长一层β‑Ga2O3薄膜;S3、在具有β‑Ga2O3薄膜的衬底上制备多对Au叉指电极;S4、取MABr与PbBr2粉末混合后,加入到DMF与DMSO的混合溶液中,溶解后得到MAPbBr3前体溶液;S5、将MAPbBr3前体溶液旋涂在衬底上,获得β‑Ga2O3/Au/MAPbBr3三明治结构的紫外‑可见光探测器;本申请方法制备的β‑Ga2O3/Au/MAPbBr3三明治结构探测器能够实现对紫外光和可见光区域的探测。
搜索关键词: 基于 ga base sub
【主权项】:
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