[发明专利]一种抗辐射原子开关器件结构的制备方法及结构

摘要

本发明公开一种抗辐射原子开关器件结构的制备方法及结构，属于微电子及半导体器件领域。提供活性金属电极，在其表面依次沉积SiN和SiO2；进行光刻和干法刻蚀开孔；在表面沉积阻挡层；在所述阻挡层表面制备不同组分TaGeOx固体电解质；采用PVD沉积惰性金属电极，阻挡层在此过程中氧化形成金属氧化物，并在活性金属电极表面形成合金；对开孔两侧区域进行刻蚀，然后在整体表面沉积SiN保护层；采用双大马士革工艺将活性金属电极与惰性金属电极层相连。兼容于CMOS工艺，集成度高，具有非易失性、尺寸小、编程效率高、可靠性高、抗总剂量能力强等优势，广泛应用于高速高效、高集成度、非易失性、可重构的抗辐射FPGA，非易失性存储器及仿生突触器件等领域。