[发明专利]一种半导体激光器在审
| 申请号： | 202210083666.2 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114498285A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 王振诺;仲莉;马骁宇;刘素平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体激光器，包括：过渡热沉；散热结构，设置于过渡热沉的上表面，散热结构的横截面为梯形，梯形的下底与过渡热沉的上表面相接触；半导体激光器管芯，包括有源区，半导体激光器管芯设置于散热结构的上表面，半导体激光器管芯的下表面的尺寸和散热结构的下表面的尺寸相同；有源区的下表面的尺寸和散热结构的上表面的尺寸相同，有源区与散热结构的上表面对齐。将散热结构的横截面设置为梯形，起到促进半导体激光器工作时中心区域散热及抑制两侧散热的作用，进而增加半导体激光器管芯内部温度分布均匀性，抑制热透镜效应影响，提高光束质量，提升半导体激光器光电性能、可靠性和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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